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少子寿命测试采用WCT120少子寿命测试仪,经退火处理的硅片平均少子寿命为70μs左右,
2013-05-06 10:59:25   来源: 瞬渺市场部   评论:0 点击:

 将镀膜后的硅片放置于烧结炉上进行1min的快速退火,激活Al2O3钝化活性后进行少子寿命测试。少子寿命测试采用WCT120少子寿命测试仪,经退火处理的硅片平均少子寿命为70μs左右,最高值达89μs。如果能严控实验过程中的表面污染,少子寿命还能有明显提高。
电池正面采用双层SiNx膜钝化,有效地起到减反射和钝化的作用;背面采用3层膜钝化,既能有效提高少子寿命,还能增加对长波的反射,起到背反射器的作用,增加硅片对长波的吸收。图5为制作的PERC电池结构图。

  2.2、少子寿命

  将镀膜后的硅片放置于烧结炉上进行1min的快速退火,激活Al2O3钝化活性后进行少子寿命测试。少子寿命测试采用WCT120少子寿命测试仪,经退火处理的硅片平均少子寿命为70μs左右,最高值达89μs。如果能严控实验过程中的表面污染,少子寿命还能有明显提高。

  2.3、激光烧蚀开膜

  实现PERC电池背面电极局域接触,常见的方法有激光烧结和激光烧蚀。激光烧结要先印刷铝浆再烧结,然后用激光逐点烧结,使铝与硅基底融合形成铝硅点接触电极。激光烧蚀要在背面膜层上烧蚀出所需的图案,再通过丝网印刷制作背电极。

  激光烧结方法要求激光有良好的热效应,常采用ns激光,在熔融背铝的同时烧穿介质膜。因此对激光的稳定性要求很高,否则会出现介质膜未烧穿或者对硅基底造成严重热损伤的情况。

  实验所用激光的波长为532nm,脉冲间隔为10ns。烧蚀时,激光的热效应会对硅片造成损伤。实验中采用弱碱清洗和退火来降低激光的损伤。激光烧结工艺:将硅片放入1%的弱碱溶液1min,再将硅片放入退火炉中,在500℃下退火10min。

  烧蚀接触采用线接触的形式,比点接触有更快的加工速度。通常开模比例控制在6%~10%。激光器开膜线宽为45μm,开膜间距分别设为640,562,500μm,去膜比例分别约为6%,7%,8%。

  激光的能量分布为高斯分布,去膜时要防止功率偏高,造成中间部分被刻出线槽。图6为去膜区域的金相图,边缘部分膜层没有去除干净。这部分膜已经失去了钝化效果,烧结后存在于铝和硅的中间层,会增加铝硅的接触电阻。

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